Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 1990, выпуск 14
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 1990, том 16, выпуск 14
Дрождин С.Н., Камышева Л.Н., Дистельхорст М., Сердюк О.М., Косарева О.А.
Хаотическое поведение доменной структуры кристаллов триглицинсульфата в процессах переполяризации
1
Волле В.М., Воронков В.Б., Грехов И.В., Козлов В.А.
Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)
6
Афанасьев В.В., Ковачев Л.М., Серкин В.Н.
Смешанные состояния оптических солитонов разных длин волн
10
Раковский В.Ю., Щербаков А.С.
Цифровой полностью оптический матричный процессор
15
Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Семенов А.Д., Роенков А.Л., Соколов В.И.
Фиолетовые светодиоды на базе гетероэпитаксиальных слоев 6H/4H-SiC<Ga, N>, выращенных сублимационным "сэндвич-методом"
19
Бурицкий К.С., Дианов Е.М., Добрякова Н.Г., Маслов В.А., Черных В.А., Щербаков Е.А.
Оценка оптической стойкости канальных Rb: КТР-волноводов
22
Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Семенов В.В., Соколов В.И., Веренчикова Р.Г., Константинов А.О., Одинг В.Г.
Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N
25
Месяц В.Г.
О расходе массы конического эмиттера при взрывной эмиссии электронов
30
Мохов Е.Н., Рамм М.Г., Роенков А.Д., Федоров М.И., Веренчикова Р.Г.
Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным "сэндвич-методом" в вакууме
33
Желудева С.И., Ковальчук М.В., Новикова Н.Н., Харитонов И.Ю.
Внешний фотоэффект, возбужденный рентгеновским излучением в условиях брэгговской дифракции и полного внешнего отражения в молекулярных слоях Ленгмюра-Блоджетт
37
Адилов К.А., Турсунов Ш.С.
Фотофимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном никелем и хромом
42
Инденбаум Д.М., Сысуев В.М., Щербаков А.С.
Невырожденная параметрическая регенерация оптических сверхкоротких импульсов в кристаллах
45
Закурдаев И.В., Миловзоров Д.Е., Шерозия Г.А., Шишлаков В.А.
Энергетические распределения атомов, распыленных ионным пучком
51
Байков Ю.М., Филатов С.К., Семин В.В., Шохор С.Л., Горская М.Г.
Необычные корреляции между величинами y, T
c
и параметрами решетки YBa
2
Cu
3
O
y
после химического извлечения кислорода водородом
56
Алейнер И.Л., Сурис Р.А.
О форме и энергии активации критического двумерного зародыша на поверхности [001] кристалла A
3
B
5
при эпитаксиальном росте
61
Аветисов В.Г., Баранов А.Н., Именков А.Н., Надеждинский А.И., Хуснутдинов А.Н., Яковлев Ю.П.
Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров на основе GaInAsSb
66
Афанасьев В.Б., Гуревич С.А., 3акгейм А.Л., Лифшиц Ю.А., Марахонов В.М., Хвостиков В.П., Чебунина И.Э., Явич Б.С.
Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема "инжекционный лазер --- полевой транзистор" на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
70
Сидоров П.П., Максимовский С.Н., Октябрьский С.Р., Шотов А.П.
Фотостимулированная эпитаксия из паровой фазы при пониженном давлении пленок ZnSe на (100) Si
74
Беляев В.В., Берестнев С.П., Иванов С.А., Кузнецов А.Б., Косточкина З.А., Михайлова Г.К.
Светорассеяние жидкокристаллического слоя ПВМС на основе структуры МДП-ЖК
78
Караганов В.Л., Портной Е.Л., Синявский Н.М., Стальненис А.П., Стельмах Н.М., Челноков А.В.
Бесконтактное электрооптическое измерение сверхкоротких электрических сигналов при помощи пикосекундного полупроводникового лазера
84
Матвеев А.Т., Гременок В.Ф., Новиков В.П., Викторов И.А., Зубец О.В.
Получение сверхпроводящих пленок Y
1
Ba
2
Cu
3
O
x
различной ориентации методом лазерной эпитаксии
89
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук