Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 1989, выпуск 15
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 1989, том 15, выпуск 15
Горбатов Ю.Б., 3иненко В.И.
Температурная зависимость распыления в системе Si/Ar
+
/F
1
Горбатов Ю.Б., Зиненко В.И.
Распыление Si0
2
быстрыми атомами аргона в присутствии фторсодержащих радикалов
4
Закосаренко В.М., Ильичев Е.В., Тулин В.А.
Безгистерезисный режим работы ВЧ-сквида из YBa
2
Cu
3
O
x
при температуре 4.2 K
7
Дойников А.А., Завтрак С.Т.
К вопросу о рассеянии звуковой волны на облаке газовых пузырьков
12
Денисюк Ю.Н., Ганжерли H.М.
Псевдоглубокая голограмма с многократной записью
14
Ахмедиев Н.Н., Елеонский В.М., Кулагин Н.Е., Шильников Л.П.
Стационарные импульсы в нелинейном двулучепреломляющем оптическом волокне. Поцессы размножения солитонов
19
Коненков Н.В., Кратенко В.И., Могильченко Г.А., Сипаков С.С.
Влияние качества поля на характеристики КФМ, работающего в промежуточной зоне стабильности
23
Здебский А.П., Пузин И.Б., Шейнкман М.К., Шерварлы Г.К.
Исследование влияния ультразвуковой обработки на электрофизические параметры светоизлучающих двойных гетероструктур на основе GaAs-AlGaAs
28
Сочава С.Л., Степанов С.И.
Запись динамических голограмм в Bi
12
SiO
20
с помощью полупроводникового лазера (lambda=0.85 мкм)
34
Львовский Ю.М.
Распространение нормальной фазы с растущим температурным уровнем в высокотемпературных сверхпроводниках
39
Арсентьев И.Н., Бежанишвили Г.Р., Буинов П.П., Вавилова Л.С., Стругов Н.А., Чалый В.П., Шкурко А.П.
Спектральные характеристики InGAAsP/GaAs <111> ЖФЭ-лазеров (lambda=0.8 мкм), предназначенных для накачки YAG : Nd
3+
45
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Низкопороговые лазеры 3-3.5 мкм на основе ДГС InAsSbP/In
1-x
Ga
x
As
1-y
Sb
y
49
Азизбекян С.В., Артюшенко В.Г., Калайджян К.И., Миракян М.М., Пыльнов И.Л.
Изгибные потери полых металлических волноводов среднего ИК-диапазона
52
Козырев С.В., Мастеров В.Ф., Приходько А.В., Федоров А.В., Xопаев Р.А., Клячко Д.В., Угаров В.В.
Особенности структуры металл-полупроводник- сверхпроводник-полупроводник-металл
57
Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Соколов В.И., Вавилов B.C., Иванов А.И., Чукичев М.В.
Катодолюминесценция SiC-6H, легированного Ga, при высоких уровнях возбуждения
60
Биленко Д.И., Галишникова Ю.Н., Жаркова Э.А., Колдобанова О.Ю., Николаева И.И.
Исследование проводимости многослойных периодических структур a-Si : H/a-SiN
x
: H в ходе их образования
64
Довгий Я.О., Китык И.В., Яблоновская О.Г.
Фотостимулированные изменения в кристаллах alpha-серы
69
Фатеев В.Ф.
Гироскопический эффект в системе кольцевых проводников с электрическим током
72
Жмакин А.И., Кадинский Л.А., Кузьмин И.А., Макаров Ю.Н., Субашиева Е.А., Явич Б.С.
Экспериментальное и численное исследование выращивания эпитаксиальных слоев GaAs и твердого раствора AlGaAs в горизонтальном реакторе при пониженном давлении
76
Малик А.И., Гречко В.А., Грушка Г.Г.
Спектральные характеристики селективных УФ-фотоприемников с внутренним усилением на основе ПДП-структур
80
Беришев И.Э., Селищев А.В., Щербаков А.С.
Параметрическая регенерация сверхкоротких импульсов света в среде с квадратичной нелинейностью
82
Малик А.И., Гречко В.А., Грушка Г.Г.
Эффект переключения в анизотропных ПДП-структурах
87
Аскарьян Г.А., Государев И.В., Клебанов Л.Д.
Реактивное движение при газовом разряде от внешнего токоподвода
90
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук