Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 1991, выпуск 3
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 1991, том 17, выпуск 3
Андреев В.М., Минтаиров А.М., Намазов А.К., Сулима О.В., Фалеев Н.Н., Якимов А.Ю.
AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии
1
Лупу А.Т., Мереуцэ А.З., Пузин И.Б., Сырбу А.В., Суручану Г.И., Шейнкман М.К., Шерварлы Г.К., Яковлев В.П.
Электрофизические характеристики низкопорогового (I
n
=1.3 мА, T=300 K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной гетероструктурой, полученные НЖФЭ
4
Иову М.С., Ханчевская Е.Г.
Вольт-амперные характеристики диодных структур n-Ge/p-As
2
Se
3
8
Рагимова Н.А., Джафарова С.З., Абуталыбов Г.И.
К вопросу о влиянии соединений РЗЭ на оптический спектр экситонов в кристаллах InSe
10
Князев И.А., Щербаков А.С., Ильин Ю.В., Рассудов Н.Л., Тарасов И.С.
Источник пикосекундных импульсов на основе полупроводникового лазера с волоконным резонатором
14
Махний В.П.
Полупроводниковый излучатель с повышенной температурной стабильностью
17
Аксенов B.C., Беликов А.П., Борман В.Д., Троян В.И., Хмелев A.В.
Лазерное инициирование восстановления пленок оксидов металлов при возбуждении молекул газа
21
Богородицкая Р.А., Рабинович Э.М., Смоляков Г.А.
Влияние переключения мод на пространственно-модуляционные характеристики излучения инжекционных лазеров с распределенной обратной связью (lambda=1.58 мкм)
26
Попов Е.В., Манжуров И.Л.
Хемосенсорный пьезорезонатор
31
Тавхелидзе А.Н., Кузьмин Л.С., Солдатов Е.С., Охрименко В.Н.
СВЧ характеристики ВТСП межгранульных джозефсоновских переходов
33
Польский А.И., Попел В.М.
Измерение объема сверхпроводящей фазы ВТСП материалов ВЧ методом
37
Казачков И.В., Колесниченко А.Ф.
О явлении электромагнитного возбуждения распада пленок проводящей жидкости
40
Быковский Ю.А., Кондрашев С.А., Кошкарев Д.Г.
Лазерный источник интенсивных пучков кластерных ионов углерода
43
Колесников Е.К., Мануйлов А.С.
К вопросу о влиянии рассеяния на развитие резистивной перетяжечной моды РЭП
46
Андриянов А.В., Миронов B.C., Родионов В.Е., Сухарев Ю.Г., Цацко В.И.
Электролюминесценция тонкопленочных МДПДМ структур с фторсодержащими и оксидными диэлектриками
50
Божевольный С.И., Постников А.В., Радько П.С.
Дифференциальный амплитудно-фазовый оптический микроскоп
54
Чутов Ю.И., Подольский В.Н., Брайон Д.А.
Взрывные волны в развивающемся газовом разряде
59
Вагапов А.Б., Козлов Н.П., Пекшев А.В., Суслов В.И.
Квазинепрерывный оптический разряд в слабосходящемся луче CO
2
лазера
63
Каширин А.И., Михайлик П.П.
Поглощение электромагнитного излучения тонким проводящим цилиндром
67
Сухоруков Ю.П., Лошкарева Н.Н., Потапов А.П., Глазер А.А.
Экраны на основе метгласса для малогабаритных магнитооптических элементов
70
Черный И.В., Шарков Е.А.
Особенности обратного рассеяния электромагнитных волн концентрированными аэродисперсными средами
73
Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д.
Влияние эффектов деполяризации на фотоэлектрические и пороговые характеристики фотоприемников на квантовых ямах структур GaAs-AlGaAs
77
Атаев Ж., Васильев В.А., Волков А.С., Кумеков М., Теруков Е.И., Шведков И.В.
Фотопроводимость и ударная ионизация в пленках a-Si : H в УФ области спектра
81
Виноградова С.А., Голубок А.О., Коломыткин О.В., С.Я.
Исследование пленок Ленгмюра--Блоджетт в сканирующем туннельном микроскопе при атмосферном давлении
85
Антонов И.В., Воскобойникова И.В., Ефимова Т.Т., Козиков С.А., Коняев В.П., Кригель В.Г., Оськин В.В., Пашко О.А., Пашко С.А., Швейкин В.И.
Лазеры с повышенным ресурсом работы на основе РО-ДГС, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ
89
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук