Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 2000, выпуск 10
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 2000, том 26, выпуск 10
Козодаев М.А., Макеев О.Н., Хохряков В.Ф., Осадчук Л.А., Леваков Б.Г., Залужный А.Г., Бабаев В.П., Суворов А.Л.
Анализы с помощью сканирующего туннельного микроскопа поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления
1
Диденко А.Н., Дмитриев М.С.
О предельно допустимых уровнях мощности импульсных релятивистских СВЧ-генераторов различных типов
9
Оболенский С.В., Китаев М.А.
Полевой транзистор с 30-nm затвором
13
Казанский А.Г., Козлов С.Н., Мелл Х., Форш П.А.
Влияние освещения на электрические и фотоэлектрические параметры mu c-Si : H, слаболегированного бором
17
Рандошкин В.В., Васильева Н.В., Плотниченко В.Г., Салецкий А.М., Сташун К.В., Сысоев Н.Н.
Оптическое поглощение в эпитаксиальных пленках Gd
3
Ga
5
O
12
, выращенных из раствора-расплава на основе Bi
2
O
3
--B
2
O
3
--CaO
22
Котов О.И., Лиокумович Л.Б., Марков С.И., Медведев А.В., Николаев В.М.
Дистанционный интерферометрический датчик с поляризационным разделением каналов
28
Бессуднова Н.О., Рожнёв А.Г.
Влияние пространственного заряда на неустойчивость в системе электронный поток--электромагнитное поле вблизи границы полосы пропускания замедляющей системы
35
Парчинский П.Б., Власов С.И., Муминов Р.А., Исмаилов Х.Х., Тургунов У.Т.
Влияние ультразвука на параметры структур металл--диэлектрик--полупроводник
40
Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Егоров В.А., Петров В.Н., Воловик Б.В., Сизов Д.С., Цацульников А.Ф., Устинов В.М.
Многослойные структуры с квантовыми точками в системе InAs/GaAs, излучающие на длине волны 1.3 mum
46
Петренко В.И., Недопекин Ф.В., Петренко П.В.
Термографические исследования дискретности плавления и предкристаллизационных переохлаждений в свинце
53
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И.
Об образовании дефектов в двухслойном кристалле Al/Ni под действием бомбардирующих ионов с близкими к порогу распыления энергиями
60
Мурахтина Т.О., Окулов В.Л.
Изменение топологии и симметрии поля завихренности при турбулентном распаде вихря
66
Итин В.И., Терехова О.Г., Ульянова Т.Е., Костикова В.А., Шевченко Н.А., Бердникова Д.В.
Влияние механической активации на закономерности спекания никелида титана и композита "биокерамика--никелид титана"
73
Ильин А.И., Апаршина А.И., Дубонос С.В., Толкунов Б.Н.
Нелинейные вольт-амперные характеристики крестообразных микроструктур из тонких пленок висмута
80
Воловик Б.В., Ковш А.Р., Passenberg W., Kuenzel H., Леденцов Н.Н., Устинов В.М.
Длинноволновое излучение в гетероструктурах с InGaAsN/GaAs квантовыми ямами
88
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук