Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 1997, выпуск 9
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 1997, том 23, выпуск 9
Гувернюк С.В., Самойлов А.Б.
Об управлении сверхзвуковым обтеканием тел с помощью пульсирующего теплового источника
1
Неркарарян Х.В., Маркарян Н.Л., Оганнисян Е.Дж.
Об одной возможности точного измерения показателя преломления прозрачной жидкости
9
Айнбиндер Н.Е., Ажеганов А.С., Бегишев В.П., Шестакова Н.К.
Применение метода ядерного квадрупольного резонанса для измерения напряжения в системе матрица--наполнитель в композиционных материалах
14
Хазимуллин М.В., Крехов А.П., Лебедев Ю.А., Скалдин О.А.
Флексоэлектрический отклик слоя жидкого кристалла с температурно-индуцированным ориентационным переходом
19
Князев Б.А., Мельников П.И., Блюм Г., Дорошкин А.А., Матвеенко А.Н.
Фоторезонансная ионизация газовых сред излучением эксимерных лазеров
24
Чижов А.В., Чистяков В.О., Шмидт А.А.
Моделирование разрушения железа взрывной волной
33
Новиков В.П., Дымонт В.П.
Механизм электрохимического синтеза алмазоподобного углерода
40
Логунов М.В., Моисеев Н.В.
Формирование сотовой доменной структуры в магнитных пленках
46
Дмитрук М.Л., Маева О.И., Мамыкин С.В., Яструбчак О.Б.
Влияние сульфидирования диодов Шоттки Au--GaAs с профилированной границей раздела на поляритонный пик фотоответа
52
Вовченко А.И., Ковалев В.Г., Поздеев В.А.
Особенности гидродинамических характеристик высоковольтного электрического разряда в жидкости при двухимпульсном законе ввода мощности
58
Маматкаримов О.О.
Влияние локального давления на вольт-амперную характеристику структур типа Au--Si<Ni>--Sb
62
Сонин А.Ю.
Предельный энерговклад в газоразрядные лазерные среды
65
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Андрейчук О.В., Саморуков Б.Е., Яковлев Ю.П.
Суперлюминесценция в двойной гетероструктуре AlGaAsSb/InGaAsSb/AlGaAsSb
68
Поздеев В.А.
Аналитические соотношения между параметрами плазмы канала высоковольтного разряда в жидкости и плазмы струйного выброса в вакуумированную камеру
75
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Шуман В.Б.
Перенос носителей заряда в базе диода с локальной неоднородностью рекомбинационных свойств
79
Соколовский Г.С., Дерягин А.Г., Кучинский В.И.
К вопросу о времени переключения поляризации излучения полупроводникового лазера
87
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук