Особенности формирования и термостабильность барьерных контактов к высокочувствительным карбидкремниевым детекторным диодам
Болтовец Н.С.1, Зоренко А.В.1, Иванов В.Н.1, Власкина С.И.1, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Литвин П.М.1, Литвин О.С.1, Миленин В.В.1, Абдижалиев С.К.1
1Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Email: konakova@isp.kiev.ua
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Исследовано влияние быстрой термической обработки (БТО) при T==1000oC на особенности формирования барьерных TiBx-n-SiC6H (0001) и омических Ni-n-SiC6H контактов. Показано, что БТО не нарушает слоевой структуры и термостабильности барьерных контактов. При БТО структуры Ni-n-SiC6H (0001) формируется стабильный омический контакт. БТО практически не изменяет параметров статической вольт-амперной характеристики диодов Шоттки Au-TiBx-n-SiC6H (0001). Показано, что термостойкие диоды Шоттки Au-TiBx-n-SiC6H (0001) обладают чувствительностью по напряжению ~ 3300-3500 mV/mW при входной мощности 10-7 W и способны работать при повышенной СВЧ-мощности вплоть до 1 W. Динамический режим линейного участка передаточной характеристики составляет 50 dB.
- Иванов П.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 11. С. 1921--1943
- Лебедев А.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 9. С. 1096--1099
- Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 5. С. 597--599
- Defiver D., Durand O., Wyczisk F., Noblanc J., Brylinski C., Meyer F. // Microelectron. Eng. 2001. V. 55. N 3. P. 369--374
- Precz B. // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 153. N 1. P. 1--8
- Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектронике. Принципы технологии в полупроводниковом приборостроении. М.: Металлургия, 1978. 272 с
- Murarka S.P. Silicides for VLSI Aplication. Academic Press. New-York--London--Paris, 1983
- Via La F., Roccaforte F., Makhtari A., Kaineri V., Musumeci P., Calcagno L. // Microelectron. Eng. 2002. V. 60. P. 269--282
- Hara S. // Surf. Sci. 2001. V. 494. P. L805--L810
- Sang Youn Han, Ki Hong Kim, Jong Kyn Kim, Ho Won Jang, Kwang Ho Lee, Nam-Kyun Kim, Eun Dong Kim, Jong-Lam Lee // Appl. Phys. Let. 2001. V. 79. N 12. P. 1816--1818
- Венгер Е.Ф., Миленин В.В., Ермолович И.Б., Конакова Р.В., Иванов В.Н., Войциховский Д.И. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 8. С. 948--953
- Миленин В.В., Конакова Р.В. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 14. С. 30--35
- Boltovets N.S., Goncharuk N.M., Krivutsa V.A., Chaika V.E., Konakova R.V., Milenin V.V., Soloviev E.A., Tagaev M.B., Voitsikhovskyi D.I. // Semicond. Phys., Quantum Electron. \& Optoelectron. 2000 V. 3. N 3. P. 352--358
- Lee S.K., Zetterling C.M., Ostling M. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N 11. P. 8039--8044
- Porter L.M., Gavis R.F. // Mater. Sci. Eng. 1995. V. B34. N 1. P. 83--105.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук