Поле в ближней зоне микросхемы при воздействии на нее электромагнитной волной в волноводе
Старостенко В.В., Малишевский С.В., Таран Е.П., Чурюмов Г.И.
Email: g.churyumov@ieee.org
Поступила в редакцию: 10 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Приведены результаты расчета электромагнитных полей вблизи интегральных микросхем на основе численного решения дифракционной задачи рассеяния электромагнитных волн на металлодиэлектрических структурах в волноводном тракте. Полученные распределения полей позволяют рассчитать токи в микроструктурных элементах интегральных микросхем и построить электротепловую модель развития деградационных процессов в интегральных микросхемах при воздействии импульсных электромагнитных полей.
- Старостенко В.В., Таран Е.П., Григорьев Е.В. и др. // Измерительная техника. 1998. N 4. С. 65--67
- Никольский В.В., Никольская Т.И. Декомпозиционный подход к задачам электродинамики. М.: Наука, 1983. 304 с
- Никольский В.В., Никольская Т.И. Электродинамика и распространение радиоволн. М.: Наука, 1989. 544 с
- Таран Е.П., Старостенко В.В., Григорьев Е.В. // Радиофизика и электроника. 1998. Т. 3. N 1. С. 123--126
- Фок В.А. Проблемы дифракции и распространения электромагнитных волн. М.: Сов. радио, 1970
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
