Вышедшие номера
Особенности проявления эффекта дальнодействия в арсенидгаллиевых транзисторных структурах при комбинированном облучении ионами различных масс
Оболенский С.В.1, Скупов В.Д.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.runnet.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Обнаружены аномальные различия в измерениях профилей распределения концентрации носителей заряда по глубине активных областей арсенидгаллиевых (GaAs) структур после облучения со стороны подложки ионами молекулярного водорода и аргона раздельно и в комбинированной последовательности. Наибольший эффект от облучения наблюдался на структурах с повышенным содержанием дефектов в буферном слое. Экспериментальные результаты объясняются перестройкой примесно-дефектных комплексов вблизи интерфейсов под действием упругих волн, возникающих не только при релаксации пиков смещений в зоне торможения ионов, но и вследствие обратного пьезоэффекта.