Вышедшие номера
Электрофизические свойства тонких пленок BaxSr1-xTiO3, выращенных на подложках диоксида кремния
Разумов С.В.1, Тумаркин А.В.1, Сыса М.В.1, Гагарин А.Г.1
1С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: thinfilm@eltech.ru
Поступила в редакцию: 6 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Исследованы тонкие сегнетоэлектрические пленки соединения титаната бария-стронция (BaxSr1-xTiO3), выращенные на подложках из плавленого кварца (SiO2) методом высокочастотного магнетронного распыления. Установлены зависимости коэффициента перестройки и уровня диэлектрических потерь от температуры синтеза и толщины полученных пленок, а также проведены сравнительные исследования электрических характеристик полученных пленок с пленками, выращенными на подложках поликристаллического оксида алюминия (Al2O3).