Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощные одномодовые лазерные диоды с длинами волн излучения lambda=1.7-1.8 mum
Лютецкий А.В.1,2, Пихтин Н.А.1,2, Слипченко С.О.1,2, Фетисова Н.В.1,2, Лешко А.Ю.1,2, Голикова Е.Г.1,2, Рябоштан Ю.А.1,2, Тарасов И.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: nike@hpld.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 21 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Методом гидридной эпитаксии из металлоорганических соединений были изготовлены квантово-размерные InGaAsP/InP гетероструктуры с раздельным ограничением. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные одномодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с длиной волны генерации lambda=1.7-1.8 mum. Максимальная непрерывная мощность излучения при комнатной температуре составила 150 mW с сохранением одномодового режима генерации вплоть до 100 mW.
- Wang J.-S., Lin H.-H., Sung L.-W. // IEEE J. Quant. Elect. 1998. QE-34. P. 1959
- Dong J., Ubukata A., Matsumoto K. // Japan. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 5468
- Mitsuhara M., Ogasawara M., Oishi M., Sugira H., Kasaya K. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1999. V. 11. P. 33
- Choi H.K., Turner G.W., Eglash S.I. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1994. V. 6. P. 7
- Garbuzov D.Z., Lee H., Khalfin V., Martinelli R., Connolly J.C., Belenky G.L. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1999. V. 11. P. 794
- Martinelli R.U., Zamerowski T.J., Longeway P.A. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 277
- Martinelli R.U., Menna R.J., Triano A., Harvey M.G., Olsen G.H. // Electronics Lett. 1994. V. 30. P. 324
- Major J.S., Nam D.W., Osinski J.S., Welch D.F. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1993. V. 5. P. 733
- Kondow M., Uomi K., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y. // J. Cryst Growth. 1996. V. 164. P. 175
- Naoi H., Naoi Y., Sakai // Solid-State Electron. 1997. V. 41. P. 319
- Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алфёров Ж.И. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 886
- Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьяков Е.А., Фетисова Н.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26 (7). С. 57
- Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Давидюк Н.Ю., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26 (6). С. 5
- Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 380
- Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.Ф., Бондарев А.Д., Тарасов И.С. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28 (3). С. 66
- Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1393
- Chuang S.L. Physics of Optoelectronic Devices. New York: John Wiley \& Sons, 1995
- Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1001
- Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Рябоштан Ю.А., Голикова Е.Г., Тарасов И.С. // ПЖТФ. 2003. Т. 29 (3). С. 65
- Kuang G.K., Bohm G., Graf N., Rosel G., Meyer R., Ammann M.-C. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 2001. V. 13. P. 275
- Ochiai M., Temkin H., Forouhar S., Logan R.A. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1995. V. 7. P. 825
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
