Предложен барьерный открытый разряд повышенной затрудненности и стабильности, в котором удалось увеличить рабочее давление гелия, когда генерируются электронные пучки, на порядок, до 0.8 atm, без проблем с устойчивостью разряда. Анодная сетка с отверстиями 0.17 mm располагалась непосредственно на диэлектрике (varepsilon~1000), но может быть сформирована на нем напылением или с помощью фотолитографии. Путем уменьшения отверстий в анодной сетке можно надеяться на продвижение в сторону еще более высоких давлений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.