Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2003, выпуск 10 » Статья стр. 6
<<<>>>
Объемные слои нитрида галлия большой площади
Жиляев Ю.В.1, Насонов А.В.1, Раевский С.Д.1, Родин С.Н.1, Щеглов М.П.1, Юсупова Ш.А.1, Давыдов В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 21 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
PDF версия
Получены объемные зеркально-гладкие прозрачные слои нитрида галлия площадью до 2x 3 cm, толщиной до 1 mm. Рост пластин GaN осуществлялся методом хлоридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ), для предотвращения растрескивания слоев применялся двухстадийный рост, отделение слоя GaN от подложки обеспечивалось осаждением низкотемпературного (НТ) буферного слоя оптимальной толщины. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции (FWHM) для лучших образцов составила omegatheta=3.5', а плотность дислокаций - 107-108 cm-2.
  1. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S., Yamada T., Mukai T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. L1332
  2. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. L74
  3. Yoshida S., Suzuki J. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V.37. L482
  4. Grzegory I., Bockowski M., Lucznik B., Krukowski S., Wroblewski M., Porowski S. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1996. V. 1. P. 20
  5. Usui A., Sunakawa H., Sakai A., Yamaguchi A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. L899
  6. Sone H., Nambu S., Kawaguchi Y., Yamaguchi M., Miyake H., Hiramatsu K., Iyechika Y., Maeda T., Sawaki N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. L356
  7. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y., Koyaki T., Umemoto H., Sano M., Chocho K. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. L2014
  8. Melnik Yu.V., Vassilevski K.V., Nikitina I.P., Babanin A.I., Davydov V.Yu., Dmitriev V.A. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1997. V. 2. P. 39
  9. Kelly M.K., Vaudo R.P., Phanse V.M., Gorgens L., Ambacher O., Stutzmann M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. L217
  10. Bel'kov V.V., Botnaryuk V.M., Fedorov L.M., Diakonu I.I., Krivolapchuk V.V., Scheglov M.P., Zhilyaev Yu.V. // MRS Symposium Proceedings, III-V Nitrides. 1997. V. 449. L 343
  11. Bel'kov V.V., Botnaryuk V.M., Fedorov L.M., Goncharuk I.V., Novikov S.V., Ulin V.P., Zhilyaev Yu.V., Cheng T.S., Jeffs N.J., Foxon C.T., Katsavets N.I., Harrison I. // Journal of Crystal Growth. 1998. V.187. P. 29
  12. Davydov V.Yu., Averkiev N.S., Goncharuk I.N., Nelson D.K., Nikitina I.P., Polkovnikov A.S., Smirnov A.N., Jacobson M.A., Semchinova O.K. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 5097

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme