Зонная диаграмма фоточувствительной структуры Sn-p-InSe
Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Фотий В.Д.
Email: photon@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 7 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
Методом термического испарения Sn в вакууме на предварительно нагретые подложки InSe p-типа проводимости получены фоточувствительные структуры, хорошо описывающиеся в рамках модели металл-диэлектрик-полупроводник, где в качестве диэлектрика выступает пленка более широкозонного In2Se3 gamma-модификации с Eg=2.0 eV, образующаяся в результате термического воздействия на базовый полупроводник.
- Segura A., Guesdon J.P., Besson J.M., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. N 2. P. 876--888
- Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 10. С. 1--3
- Martinez-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. N 4. P. 1477--1483
- Материалы E-MRS Spring Meeting 2002 (Strasburg, 2002). Book of Abstracts. P. B2--B46
- Зи С. // Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. / Пер. с англ. М.: Мир, 1984
- Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. В. 10. С. 2000--2002
- Лебедев А.А., Давыдов Д.В. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 1. С. 113--116
- Tatsuyama C., Ichimura S. // II Nuovo Cimento. 1977. V. 38. N 123. P. 352--358
- Savchuk V.P., Kytsay V.B. // Thin Solid Films. 2000. V. 361--362. N 1--2. P. 124--125
- Драпак С.И., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Орлецкий В.Б. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 17. С. 1--8
- Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 2. С. 1960--2002
- Julien C., Eddrief M., Balkanski M., Hatriricraniotis E., Kambas K. // Phys. Stat. Sol. 1985. V. (a) 88. N 2. P. 687--695
- Косяченко Л.А., Раренко И.М., Боднарук О.А., Сун Вейгура // ФТП. 1999. Т. 33. В. 12. С. 1438--1442
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук