Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние объемного заряда на работу мощного полупроводникового прерывателя тока
1Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия 
Email: rukin@iep.uran.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Разработана физико-математическая модель работы мощного полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода), учитывающая влияние объемного заряда. На основе модели исследован процесс обрыва тока в полупроводниковой структуре SOS-диода. Показано, что, как и в моделях, в которых используется квазинейтральное приближение, процесс обрыва тока связан с образованием областей сильного поля в высоколегированных областях структуры. Установлено, что объемный заряд уменьшает роль процессов лавинного размножения и, как следствие, обеспечивает более высокие коммутационные характеристики диода.
- Рукин С.Н. // ПТЭ. 1999. N 4. С. 5--36
- Дарзнек С.А., Любутин С.К., Рукин С.Н. и др. // Электротехника. 1999. N 4. С. 20--28
- Дарзнек С.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. // ЖТФ. 1997. Т. 67. В. 10. С. 64--70
- Дарзнек С.А., Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 4. С. 56--62
- Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 18. С. 41--46
- Пономарев А.В., Рукин С.Н., Цыранов С.Н. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 20. С. 29--34
- Scharfetter D.L., Gummel H.K. // IEEE Trans. Electron Devices. 1969. V. ED-16. N1. P. 64--77
- Benda H., Spenke E. // Proc. IEEE. 1967. V. 55. N 8. P. 1331--1354.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
