Электролюминесценция слоев SiO2 с избыточным кремнием
Барабан А.П.1, Егоров Д.В.1, Петров Ю.В.1, Милоглядова Л.В.1
1НИИ физики С.-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 4 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Изучена электролюминесценция (ЭЛ) структур Si-SiO2, содержащих избыточный кремний в окисном слое, введенный путем ионной имплантации (ИИ) с энергией 150 keV и дозами 5· 1016-3· 1017 cm-2. ИИ приводит к появлениию полос ЭЛ 2.7 и 4.4 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Сделано предположение о связи механизмов образования данных центров люминесценции непосредственно с процессами ИИ, независимо от типа имплантированных ионов.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Solomon P., Klein N. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N 3. P. 1023--1026
- Pepe A.J., Chen W., Oyler M. // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. N 4. P. 1090--1093
- Rebohle L., Borany J., Yankov R.A., Skourupa W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 19. P. 2809--2811
- Барабан А.П., Климов И.В., Теношвили Н.И., Усеинов Э.Д., Булавинов В.В. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 17. С. 44--46
- Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В., Трошихин А.Г. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 8. С. 87--90
- Барабан А.П., Милоглядова Л.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 5. С. 56--60
- Скуя Л.Н., Стрелецкий А.Н., Пакович А.Б. // Физика и химия стекла. 1988. Т. 14. С. 481--489
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
