Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП-транзистора
Бормонтов Е.Н.1, Левин М.Н.1, Гитлин В.Р.1, Меньшикова Т.Г.1, Татаринцев А.А.1
1Воронежский государственный университет
Поступила в редакцию: 12 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Представлены экспериментальные результаты радиационного воздействия на параметры МДП-транзистора. Показано, что для корректного определения плотности поверхностных состояний и заряда в диэлектрике методом подпороговых ВАХ необходим учет планарной неоднородности транзистора. Некоторое усложнение методики компенсируется повышением точности контроля поверхностных параметров и дополнительной возможностью определения флуктуаций потенциала поверхности.
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 253 с
- Ionizing Radiation Effects in Mos Devises and Circuits / Ed. T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. New York: Wiley Interscience, 1989. 760 p
- Бормонтов Е.Н., Левин М.Н., Борисов С.Н., Вялых С.А. // ЖТФ. 2001. Т. 71. N 2. С. 61--66
- Van Overstraten R.J., Declerck G.J., Muls P.A. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1975. V. ED-22. N 5. P. 282--288
- McWhorter P.J, Winokur P.S. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. N 2. P. 133--135
- Fleedwood D.M., Shaheyfelt M.R., Schwank J.R. et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1989. V. 36. N 6. P. 1816--1824
- Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Волков О.В., Остроухов С.С., Татаринцев А.В. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. N 1. С. 16--21
- Nicollian E.N., Goetzberger A. // Bell System Techn. J. 1967. V. 46. N 5. P. 1055--1133
- Brews J.R. // J. Appl. Phys. 1974. V. 43. N 11. P. 3451--3455
- Nakhmanson R.S., Sevastianov S.B. // Solid State Electronics. 1984. V. 27. N 10. P. 881--891
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук