Исследование фотоэмиссии нитрида галлия
Айнбунд М.Р.1, Вилькин Е.Г.1, Пашук А.В.1, Петров А.С.1, Суриков И.Н.1
1ОАО Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", С.-Петербург
Email: eldy@mail.wplus.net
Поступила в редакцию: 8 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Полупроводники GaN и GaAlN являются материалами для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством, чувствительных в областях спектра 0.2/ 0.35 и 0.2/ 0.3 mum соответственно [1,2]. В настоящей работе исследовалась возможность получения фоточувствительности фотокатода на основе структуры GaN, выращенной в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке сапфира (0001). Слой p-GaN был легирован Mg и имел концентрацию дырок 1-5· 1018 cm-3. Толщина активного слоя GaN была около 0.5 mum.
- Ma J., Garni B., Perkins N. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 3351--3353
- Wu C.I., Kahn A. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 250. P. 162--163
- Дворкина З.М., Лапушкина Л.В., Суриков И.Н. и др. // Тез. докл. двенадцатой научно-технической конференции "Пути развития телевизионных фотоэлектронных приборов и устройств на их основе". С.-Петербург, 27-29 мая 2001 г. С. 195--196
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук