Вышедшие номера
Условия предотвращения теплового пробоя полупроводниковых приборов
Цэндин К.Д.1, Шмелькин А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alibumbles@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

При разработке современных приборов возникает вопрос об определении области параметров для безопасной работы. Одной из универсальных причин отказа приборов, ограничивающей возможные значения параметров, является тепловой пробой [1-6]. Под пробоем мы понимаем спонтанное лавинообразное нарастание температуры и тока при незначительном увеличении напряжения. Полученные в данной работе результаты позволяют прогнозировать возможность теплового пробоя полупроводника и выбирать параметры для его предотвращения.