Вышедшие номера
Применение потенциала с осевой симметрией при моделировании роста кристаллов из жидкой фазы
Шуников Е.А., Хухрянский Ю.П., Арсентьев И.Н.
Email: dmitry.vinokurov@pop.ioffe
Поступила в редакцию: 2 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Разработана модель процесса роста кристалла полупроводникового соединения типа AIIIBV из раствора-расплава. Предложен новый потенциал парного взаимодействия между атомами кристалла и атомами жидкой фазы, обладающий осевой симметрией. Проведены эксперименты в соответствии с разработанной моделью, в результате которых определена плотность потока осаждающихся из растворов атомов на поверхность кристалла в начальной стадии.