Применение потенциала с осевой симметрией при моделировании роста кристаллов из жидкой фазы
Шуников Е.А., Хухрянский Ю.П., Арсентьев И.Н.
Email: dmitry.vinokurov@pop.ioffe
Поступила в редакцию: 2 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Разработана модель процесса роста кристалла полупроводникового соединения типа AIIIBV из раствора-расплава. Предложен новый потенциал парного взаимодействия между атомами кристалла и атомами жидкой фазы, обладающий осевой симметрией. Проведены эксперименты в соответствии с разработанной моделью, в результате которых определена плотность потока осаждающихся из растворов атомов на поверхность кристалла в начальной стадии.
- Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М.: Мир, 1995
- Ostermeyer G.-P., Попов В.Л. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 6. С. 59--66
- Полухин В.А., Ухов В.Ф., Дзугутов М.М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. М.: Наука, 1981
- Ilegems M., Panish M.B., Arthur J.R. // J. Chem. Thermodynamics. 1974. V. 6. P. 157--177
- Panish M.B. // J. Crystal. Growth. 1974. V. 27. P. 6--20
- Thurmond C.D. // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V. 26. N 5. P. 785--802
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
