Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Новый тип металлоксидных бикристаллических джозефсоновских переходов с высокими критическими параметрами
Котелянский И.М.1,2, Борисенко И.В.1,2, Шадрин А.В.1,2, Овсянников Г.А.1,2, Лузанов В.А.1,2, Комиссинский Ф.В.1,2
1Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
2Чалмерский технологический университет, Гётеборг, Швеция
2Чалмерский технологический университет, Гётеборг, Швеция
Email: imk216@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 28 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.
Предложен и исследован новый тип пленочных бикристаллических джозефсоновских переходов из металлоксидного высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x, у которого в отличие от переходов известных типов рабочие поверхности, расположенные по разные стороны бикристаллической границы, различаются кристаллографической ориентацией. Одна из них - (001) YBa2Cu3O7-x, а другая - разориентирована относительно нее на асимметричный бикристаллический угол вокруг направления, лежащего в плоскости подложки. Представлены результаты исследований основных электрофизических и динамических (СВЧ) параметров переходов такого типа, изготовленных на соответствующих бикристаллических подложках NdGaO3 с углами разориентации от 13 до 28o. Получены высокие значения критических параметров при T=77 K: плотности критического тока IC=(2/ 5)· 105 A/cm2 и характерного напряжения VC=ICRN=0.6/ 0.9 mV. Отмечаются преимущества предлагаемого типа бикристаллических джозефсоновских переходов перед известными.
- Riedel R.A., Bagwell P.F. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57(10). P. 6084--6089
- Barash Yu.S. // Phys. Rew. B. 2000. V. 61(1). P. 678--688
- Tanaka Y., Kashiwaya S. // Phys. Rev. B. 1996. V. 53 (18). P. R11 957-R11 960
- Vale L.R., Ono R.H., Rudman D.A. // IEEE Tr. Appl. Superconductivity. 1997. V. 7(3). P. 3193--3197
- Poppe U., Divin Y.Y., Faley M.I., Wu J.S., Jia C.L., Shadrin P., Urban K. // IEEE Tr. Appl. Superconductivity. 2001. V. 11(1). P. 3768--3771
- Divin Y.Y., Kotelyanski I.M., Shadrin P.M., Jia C.L., Poppe U., Urban K. // Book of Abstracts of 6 European Conference on Applied Superconductivity. 2003. P. 166
- Дивин Ю.Я., Котелянский И.М., Губанков В.Н. // Радиотехника и электроника. 2003. Т. 48 (10). С. 1238--1249
- Овсянников Г.А., Борисенко И.В., Константинян К.И., Маштаков А.Д., Степанцов Е.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25 (11). С. 65--72
- Likharev K.K. // Rev. Mod. Phys. 1979. V. 51(1). P. 101--159
- Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. С. 453
- Tafuri F., Carillo F., Lombardi F. et al. // Supercond. Sci. Technol. 1999. V. 12. P. 1007--1009
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
