Вышедшие номера
Мониторинг интенсивности люминесценции туннельной МОП-структуры с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика
Тягинов С.Э.1,2, Асли Н.1,2, Векслер М.И.1,2, Шулекин А.Ф.1,2, Сеегебрехт П.1,2, Грехов И.В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Кафедра Полупроводниковой техники Технического факультета Университета г. Киля
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Измерены зависимости интенсивности электролюминесценции туннельной МОП-структуры Al/SiO2/p-Si от времени. Показано, что анализ этих зависимостей в некоторых случаях может дать более точную информацию о состоянии окисла, чем анализ эпюр тока.