Объемные слои GaN толщиной до 1.5 mm и диаметром 50 mm выращены газофазной эпитаксией в хлоридной системе (HVPE) на вращающейся кремниевой подложке в горизонтальном реакторе. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции (omega_theta) для лучших образцов составила 27', концентрация носителей ~ 8· 10¹⁹ cm^-3, подвижность ~50 cm²/V· s, спектр фотолюминесценции характеризуется краевой полосой излучения. Слои отличаются высокой прочностью H_V=14 GPa.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.