Объемные слои GaN, выращенные на оксидированном кремнии эпитаксией из газовой фазы в хлоридной системе
Жиляев Ю.В.1, Раевский С.Д.1, Грабко Д.З.1, Леу Д.С.1, Компан М.Е.1, Юсупова Ш.А.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Государственный университет Молдовы, Кишинев Академия наук Молдовы, Кишинев
Email: sh_yusupova@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.
Объемные слои GaN толщиной до 1.5 mm и диаметром 50 mm выращены газофазной эпитаксией в хлоридной системе (HVPE) на вращающейся кремниевой подложке в горизонтальном реакторе. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции (omegatheta) для лучших образцов составила 27', концентрация носителей ~ 8· 1019 cm-3, подвижность ~50 cm2/V· s, спектр фотолюминесценции характеризуется краевой полосой излучения. Слои отличаются высокой прочностью HV=14 GPa.
- Molnar R.J., Gotz W., Romano L.T., Johnson N.M. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 178. P. 147--156
- Tavernier P.R., Etzkorn E.V., Wang Y., Clarke D.R. // Appl. Phys. Lett. V. 77. N 12. P. 1804--1806
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук