Зависимость скорости ионного распыления от изменения электронной работы выхода, вызванного освещением
Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1, Жуков А.Г.1, Сердобинцев А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Поликристаллические полупроводниковые фотопроводящие пленки CdS- PbS, имеющие гетерофазную природу, исследовались методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Рассматриваются результаты ВИМС-измерений указанных пленок, полученные при различных освещенностях мишеней. Предлагаются теоретическое обоснование и аналитическое описание полученных зависимостей относительного выхода положительных вторичных ионов от изменения электронной работы выхода, вызванного освещением. PACS: 62.82.-d
- Олейник Г.С., Мизецкий П.А., Низкова А. и др. // Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1983. Т. 19. N 11. С. 1799--1801
- Патент 845685 РФ, МКИ Н 01 L 21/30/. А.Г. Роках, А.В. Кумаков, Н.В. Елагина (РФ). N 2880165/18--25. Заявлено 07.02.80. Опубл. 01.07.93. Бюл. N 25
- Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. N 3. С. 66--72
- Бухаров В.Э., Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. N 24. С. 55--60
- Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. N 13. С. 820--823
- Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 2. С. 23--29
- Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsura S.V. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 2004. V. 226. N 4. P. 595-600
- Yu M.L., Lang N.D. // Phys. Rev. Lett. V. 50. P. 127--130
- Распыление под действием бомбардировки частицами / Пер. с англ. Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. М: Мир, 1998. 552 с
- Роках А.Г., Стецюра С.В. // Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1997. Т. 33. N 2. С. 198--200
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.