Определение энергии глубоких центров структуры на основе твердого раствора InGaN
Амброзевич А.С.1, Амброзевич С.А.1, Грушко Н.С.1, Потанахина Л.Н.1
1Ульяновский государственный университет
Email: kapiton04@yandex.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
Исследовались структуры на основе твердого раствора InGaN. Из зависимостей термостимулированной емкости от температуры, дифференциального коэффициента наклона вольт-амперной характеристики от напряжения определены энергии глубоких центров, которые могут участвовать в создании рекомбинационного потока. PACS: 72.20.Pa
- Кузнецов Н.И., Irvine K.G. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 3. С. 369--372
- Некрасов В.Ю., Беляков Л.В., Сресели О.М., Зиновьев Н.Н. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 12. С. 1428--1435
- Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Воробьев М.О., Кайзер У., Рихтер В., Ходос И.И. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 6. С. 725--730
- Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 9. С. 1131--1137
- Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во МГУ, 1995. 400 с
- Лебедев А.А. // ФТП. 1997. Т. 31. N 4. С. 437--440
- Булярский С.В., Грушко Н.С. // ЖЭТФ. 2000. Т. 118. N 11. С. 1222
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук