Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2006, выпуск 5 » Статья стр. 24
<<<>>>
Лазерное напыление пленок GaN
Грехов И.В.1, Линийчук И.А.1, Титков И.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ITitkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
PDF версия
Методом лазерного напыления получены изолирующие c-ориентированные эпитаксиальные пленки GaN с гексагональной симметрией. Галлиевая мишень распылялась в атмосфере неактивированного азота. Пленки были выращены непосредственно на сапфировой подложке (0001) либо с использованием ZnO-буфера. Обнаружена краевая фотолюминесценция пленок на длине волны 370 nm. PACS: 42.62.-b
  1. Юнович А.Э. // Природа 2001. N 6. С. 1--14
  2. Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А., Сидоров В.Г. // Широкозонные полупроводники. СПб.: Наука, 2001
  3. Cole D., Lunney J. // Material Science and Engineering. 1997. V. B 50. P. 20--24
  4. Tong X.L., Zheng Q.G. et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 217. P. 28--33
  5. Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2004. V. 43. N 1A/B. P. L53--L55
  6. Wang R., Muto H. et al. // Thin Solid Films. 2002. V. 411. P. 69--75

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme