Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Увеличение плотности нанокластеров beta-FeSi2 на поверхности Si(111) с помощью формирования реконструкции Si(111)sqrt(3)sqrtB
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: maxim@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии исследовано формирование нанокластеров дисилицида железа beta-FeSi2 в результате твердофазной эпитаксии при температурах отжига 500-700oC и покрытиях железа 0.05-0.5 моноатомного слоя на модифицированной бором поверхности Si(111)sqrt(3)sqrtB. Сопоставление с результатами для чистой поверхности Si(111)7x7 показало, что плотность нанокластеров beta-FeSi2 на Si(111)sqrt(3)sqrtB значительно превышает их плотность на поверхности Si(111)7x7. При этом плотность точечных дефектов и структур, обладающих металлическим типом проводимости, на поверхности Si(111)sqrt(3)sqrtB на несколько порядков ниже, чем на поверхности Si(111)7x7 при аналогичных покрытиях Fe и температурах отжига. PACS: 81.07.-b
- Bost M.C., Mahan J.E. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. P. 1336
- Christensen N.E. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 11. P. 7148--7153
- Bellani V., Guizzetti G., Marabelli F. et al. // Solid State Commun. 1995. V. 96 (10). P. 751--756
- Suemasu T., Fujii T., Takakura K., Hasegawa F. // Thin Solid Films. 2001. V. 381. P. 209--213
- Suemasu T., Negishi Y., Takakura K. et al. // Japan J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Part 2. N 10B. P. L1013--L1015
- Lourenco M.A., Milosavljevic M., Gwilliam R.M. et al. // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 219--222
- Lourenco M.A., Butler T.M., Kewell A.K. et al. // Japan J. Appl. Phys. 2001. V. 40(1). 6A. P. 4041--4044
- Manassen Y., Reaple H., Shneck R. et al. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 075412-1--075412-11.
- Krause M., Blobner F., Hammer L. et al. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68, P. 125306-1--125306-10.
- Nogami J., Yoshikawa S., Glueckstein J.S. et al. // Scanning Microscopy. 1994. V. 8. N 4. P. 835--840
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
