Об особенностях поведения атомов лантана и гафния в кремнии
Утамурадова Ш.Б.1, Далиев Х.С.1, Каландаров Э.К.1, Далиев Ш.Х.1
1Научно-исследовательский институт прикладной физики Национального университета Узбекистана им. Мирзо Улугбека, Ташкент, Республика Узбекистан
Email: shahrik1985@yandex.ru
Поступила в редакцию: 25 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Методом емкостной спектроскопии изучены особенности взаимодействия атомов лантана и гафния в кремнии. Показано, что атомы гафния при его диффузионном введении в кремний образуют два глубоких уровня (ГУ) с энергиями ионизации Ec- 0.28 eV и Ev+ 0.35 eV. Обнаружено, что атомы лантана, введенные в кремний в процессе выращивания из расплава, не проявляют электрической активности. Установлено, что наличие лантана в решетке Si увеличивает эффективность образования ГУ, связанных с дополнительно введенным гафнием. Кроме того, обнаружено, что присутствие лантана в кремнии приводит к стабилизации уровней Hf: отжиг центров гафния происходит гораздо медленнее в образцах Si<La, Hf> по сравнению с Si<Hf>. PACS: 81.05.-t
- Воронкова Г.И., Иглицын М.И., Салманов А.Р. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 3. С. 499--502
- Неймаш В.Б., Соснин М.Г., Шаховцов В.И. и др. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 4. С. 786--788
- Mandelkorn J., Schwarts L., Broder J. et al. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. N 7. P. 2258--2260
- Легированные полупроводниковые материалы: Сб. научн. тр. / Под ред. В.С. Земскова. М.: Наука, 1985. 264 с
- Свойства легированных полупроводниковых материалов: Сб. научн. тр. / Под ред. В.С. Земскова. М.: Наука, 1990. 256 с
- Талипов Ф.М. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 6. С. 728--729
- Назиров Д.Э. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 9. С. 1056--1057
- Назиров Д.Э. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 5. С. 570--571
- Соболев Н.А. // Рос. хим. журнал. 2001. Т. XLV. N 5--6. С. 95--101
- Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Акбаров А.Ж. и др. // Неорган. материалы. 2001. Т. 37. N 5. С. 527--529
- Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С. Дефектообразование в кремнии. Томск: Университет, 1993. 192 с
- Далиев Х.С., Бозорова О.А., Далиев Ш.Х. Изучение свойств кремния, легированного гафнием: Сб. трудов III Нац. конф. "Рост, свойства и применение кристаллов". Томск, 2002. С. 168--169
- Vyvenko O.F., Sachdeva R. et al. // Semiconductors Silicon-2002. The Electrochemical Society, Pennington, 2002. P. 410--451
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук