Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001)
Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Слынько Е.И., Ковалюк З.Д., Литвин О.С.
Email: olytvyn@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
Исследованы процессы образования наноразмерных дефектов на Ван-дер-Ваальсовой поверхности слоистого кристалла селенида галлия (0001) и формирования на этой поверхности наноструктур теллуридов свинца и олова из паровой фазы в вакууме. Установлено, что в результате пластической деформации на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия образуются различные по форме линейные дефекты и наноразмерные полости. Зарождение и рост нанообразований теллуридов свинца и олова на плоской Ван-дер-Ваальсовой поверхности и в наноразмерных полостях происходят по различным механизмам. Показана возможность селективного роста наноструктур халькогенидов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовых поверхностях с наноразмерными полостями, которые сформировались путем самоорганизации в верхнем тонком (толщина менее 1 nm) слое слоистого кристалла селенида галлия. PACS: 81.07.-b
- Terhell I.C.I. // Prog. Cryst. Growth Charact. 1983. V. 7. P. 55--110
- Ueno K., Sasaki K., Saiki K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. N 1B. P. 511--514
- Wisotzki T., Klein A., Jaegermann W. // Thin. Solid Films. 2000. V. 380. P. 263--265
- Shigetomi S., Ikuri T., Nishimura N. // Phys. Stat. Sol. (a). 2001. V. 185. N 2. P. 341--348
- Абдуллаев Н.А. // ФТТ. 2006. Т. 48. В. 4. С. 623--629
- Spiecker E., Hollnsteiner S., Jager W. et al. // Abstracts of E-MRS 2005 Spring Meeting Symp. A: Current trends in nanoscience from materials to applications. Strasburg (France), May 31--June 3, 2005. P. A-3/3
- Gautam U.K., Vivekchand S.R.C., Govindaraj A. et al. // Chem. Commun. 2005. P. 3995--3997
- Завражнов А.Ю., Турчен Д.Н. // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. N 2. С. 190--196
- Алфёров Ж.И., Копьев П.С., Сурис Р.А. и др. // Микросистемная техника. 2003. N 8. С. 3--21
- Водопьянов В.Н., Бахтинов А.П., Слынько Е.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 16. С. 88--94
- Беленький Г.Л., Гончаров В.А., Негрий В.Д., Осипьян Ю.А. и др. // ФТТ. 1984. Т. 26. В. 10. С. 3144--3149
- Товстюк К.Д. // Полупроводниковое материаловедение. Киев: Наук. думка, 1984. С. 264
- Inoue Y., Hoshino T., Takeda S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 12. P. 2340--2342
- Lopez A., Duh D., Zemel I.N. // Mater. Sci. Eng. 1975. V. 17. P. 63--66
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук