Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
Рассматривается модель мульстистримерного переключения высоковольтной диодной структуры из блокирующего в проводящее состояние. Показано, что данная модель не позволяет непротиворечиво объяснить явление сверхбыстрого переключения в проводящее состояние кремниевых структур в сильных (~1 MV/cm) электрических полях, которое наблюдалось при быстром росте обратного напряжения. PACS: 84.71.-b, 85.25.Am
- Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 5. С. 36--46
- Rodin P., Ebert U., Hundsdorfer W., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. N 2. P. 958--964
- Кюрегян А.С. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 24. С. 11--19
- Грибковский В.П. // Журнал прикладной спектроскопии. 1984. Т. 15. В. 5. С. 709--718
- Басов Н.Г., Молчанов А.Г., Насибов А.С. и др. // ЖЭТФ. 1976. Т. 70. В. 5. С. 1751--1761
- Дьяконов М.И., Кочаровский В.Ю. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. В. 5. С. 321--332
- Дьяконов М.И., Кочаровский В.Ю. // ЖЭТФ. 1989. Т. 95. В. 5. С. 1850--1859
- Jacobini C., Canali C., Ottavini G., Alberini A. // Solid-State Electron. 1977. V. 20. N 2. P. 77--89
- Минарский А.М., Родин П.Б. // ФТП. 1997. Т. 31. N 4. С. 432--436
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
