Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 7 » Статья стр. 43
<<<>>>
Фазовые эффекты в широкополосковых гетеролазерах с искривленными штрихами решетки обратной связи
Дюделев В.В.1,2, Соколовский Г.С.1,2, Лосев С.Н.1,2, Дерягин А.Г.1,2, Кучинский В.И.1,2, Никишин С.А.1,2, Холтц М.1,2, Рафаилов Э.У.1,2, Сиббет В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY169SS,UK
Email: gs@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование фазовых эффектов в AlGaAs/GaAs лазерах с квантово-размерной активной областью с распределенной обратной связью с искривленными штрихами (и-РОС), обеспечивающей фокусировку выходного излучения, и проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными для аналогичных лазеров с искривленными штрихами распределенного брэгговского зеркала (и-РБЗ). Показано, что учет рассмотренных фазовых эффектов при конструировании и-РОС резонатора играет ключевую роль для обеспечения спектрального и пространственного совершенства излучения таких лазеров. PACS 42.55.Px
  1. Sokolovskii G.S., Rafailov E.U., L. Birkin D.J. et al. // J. Opt. and Quant. El. 1999. V. 31. P. 215--221
  2. Sokolovskii G.S., Rafailov E.U., L. Birkin D.J. et al. // IEEE J. Quant. El. 2000. V. 36. P. 1412--1420
  3. Botez D., Mawst L.J. // IEEE Circuits and Devices Magazine. 1996. V. 12. P. 25--32
  4. Francis D.A., Changhashain C.J., Eason K. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 1598--1600
  5. Walpole J.N., Kintzer E.S., Chinn S.R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 740--742
  6. Streifer W., Burnham R.D., Scifers D.R. // IEEE J. Quant. El. 1975. V. 11. P. 154--161
  7. Kogelnik H., Shank C.V. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 2327--2335
  8. Agrawal G.P., Dutta N.K. Semiconductor lasers. 2-Ed. New York: Van Nostrand Reinhold, 1993. P. 334
  9. Yanson D.F., Rafailov E.U., Sokolovskii G.S. et al. // J. of Appl. Phys. 2004. V. 95. P. 1502--1509

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme