Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощные полупроводниковые квантово-размерные AlGaAs/GaAs/InGaAs (lambda=1.06 mum) гетеролазеры с внешним резонатором
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vlad@kuch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Продемонстрировано эффективное сужение спектра генерации до 0.35 nm мощного многомодового полупроводникового лазера с широким полосковым контактом (100 mum) при использовании внешнего резонатора с дифракционной решеткой. Экспериментально получена мощность излучения лазерного диода (ЛД) с внешним резонатором 550 mW. Показано, что многомодовый ЛД длиной 3 mm на основе полупроводниковой квантово-размерной гетероструктуры AlGaAs/GaAs/InGaAs (lambda=1.06 mum) может быть использован при непосредственной накачке кристалла PPLN для получения излучения второй гармоники на lambda=0.532 mum. PACS: 42.55.Px
- Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 3. С. 388
- Hara T., Yatsuki M., Yamane Y., Oguri H., Mure M. // QELS. 2005. P. 856
- Raab V., Skoczowsky D., Menze R. // Optics Lett. 2002. V. 27. P. 1995
- Bayram S.B., Chupp T.E. // Rev. of Scientific Inst. 2002. V. 73. P. 4169
- Zhdanov B.V., Ehrenreich T., Knize R.J. // Electron. Lett. 2007. V. 43. P. 221
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
