Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 5 » Статья стр. 54
<<<>>>
Аналитическая модель запираемого тиристора с немонотонным оттеснением остаточной плазмы
Горбатюк А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: agor.pulse@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
PDF версия
Предложена модель механизма обратного восстановления запираемого тиристора, учитывающая диффузионное сглаживание и возможную немонотонность движения границы между остаточной плазмой и блокирующим полевым доменом в слаболегированной базе. Такой учет важен, в частности, при вынужденном введении избыточного запаса по электрической и тепловой перегрузке при частотной работе в индуктивных цепях. В подобных условиях динамические поля и напряжения могут намного превышать значения, достигаемые в состояниях статической блокировки, а усредненные за период переходные тепловые потери составляют, как правило, намного больше половины полных потерь. Возможности модели проиллюстрированы на примере 4H-SiC тиристора в режиме импульсного прерывателя источника тока. PACS: 72.20.-i, 72.20.Ht, 85.30.-z, 85.30.Rs, 07.50.Ek
  1. Brown E.R. // Solid-State Electronics. 1998. V. 42. N 12. P. 2119--2130
  2. Gerlach W., Qu N. // Archiv fur Elektrotechnik. 1991. V. 74. P. 433--444
  3. Huang S., Udrea F., Amaratunga G.A.J. // Solid-State Electronics. 2003. V. 47. P. 1429--1436
  4. Грехов И.В., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 7. С. 80--87; ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 5. С. 76--81
  5. Levinshtein M.E., Rummyantsev S.L., Mnatsakanov T.T. et al. // International Journal of High Speed Electronics and Systems. 2005. V. 15. N 4. P. 931--996
  6. Sheng K., Williams B.W., Finney S.J. // IEEE Tr. Pow. Electron. 2000. V. 15. N 6. P. 1250--1266
  7. Hefner A. // IEEE Trans. Pow. Electron. 1990. V. 5. N 4. P. 459--468
  8. Feiler W., Gerlach W., Wiese U. // Solid-State Electronics. 1996. V. 39. N 1. P. 59--67
  9. Levinshtein M.E., Mnatsakanov T.T., Yurkov S.N. et al. // Solid-State Electronics. 2002. V. 46. P. 1953--1957
  10. Benda H., Spenke E. // Proc. IEEE. 1967. V. 55. N 8. P. 1331--1354
  11. Горбатюк А.В. Динамика и устойчивость быстрых регенеративных процессов в структурах мощных тиристоров. / Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе. N 962. Л., 1985. 60 с
  12. Доступно на сайте: www.pdesolutions.com

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme