Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn при выключении
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет
Email: gurinnt@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
В результате экспериментального исследования формы спада тока, протекающего через слой люминофора тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, показано, что этот спад обусловлен бимолекулярным процессом захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела люминофор-диэлектрик. Определены скорость поверхностного захвата, сечение захвата и мгновенное время жизни электронов в момент времени, соответствующий началу спада, а также зависимости указанных параметров от полярности амплитуды и частоты напряжения треугольной формы. PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf
- Bringuier E. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 3. P. 1314
- Singh V.P., Krishna S., Morton D.C. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 3. P. 1811--1819
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 2. С. 74--83
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 4. С. 100--112
- Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 8. С. 949--961
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003. Т. 73. В. 4. С. 90--99
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 469 с
- Bringuier E. // Phil. Mag. B. 1997. V. 75. N 2. P. 209--228
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук