Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 7 » Статья стр. 58
<<<>>>
Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si
Алексеев А.Н.1, Александров С.Б.1, Бырназ А.Э.1, Великовский Л.Э.1, Великовский И.Э.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский М.Ю.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Соколов М.А.1, Степанов М.В.1, Ткаченко А.Г.1, Шкурко А.П.1, Чалый В.П.1
1Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Email: support@semiteq.ru
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
PDF версия
Сообщаются предварительные результаты переноса технологии роста многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN на подложки кремния. Путем оптимизации ростовых условий минимизировано количество макроскопических трещин и получены гетероструктуры с двумерным электронным газом, пригодные для создания полевых транзисторов. Ток насыщения тестовых приборов, изготовленных из гетероструктур на подложках кремния, сопоставим с аналогичным параметром приборов на подложках сапфира, в то же время не наблюдается его уменьшения, связанного с тепловым рассеянием при больших значениях рабочих напряжений. PACS: 71.55.Eq, 74.78.Fk, 81.15.-z, 81.16.-c
  1. Chini A., Buttari D., Coffie R. et al. // Elec. Lett. 2004. V. 40. P. 73
  2. Wu Y.F., Saxler A., Moore M. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 117--119
  3. Xu J.J., Keller S., Parish G. et al. // IEEE Transactions On Microwave Theory And Techniques. 2000. V. 48. P. 2573--2578
  4. Sun J., Fatima H., Koudymov A. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2003. V. 24. P. 375--377
  5. Chu K.K., Chao P.C., Pizzella M.T. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 596--598
  6. Hu X., Deng J., Pala N. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1299--1301
  7. Bove Ph., Thuret J., Letertre F. et al. // Manufacturing Engineered wafers for GaN RF power applications. GaAs MANTECH. New Orleans, 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005Papers/4.3.pdf)
  8. Ducatteau D., Minko A., Hoel V. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2006. V. 27. P. 7--9
  9. Moon J.S., Wu S., Wong D. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2005. V. 26. P. 348--350
  10. Fanning D.M., Witkowski L.C., Lee C. et al. // 25 Watt X-band GaN on Si MMIC. GaAs MANTECH, New Orleans, 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005papers/8.3.pdf)
  11. Benkhkelifa F., Kiefer R., Muller S. et al. // Performance and Fabrication of GaN/AlGaN Power MMIC at 10 GHz. GaAs MANTECH, New Orleans, 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005papers/8.4.pdf)
  12. Алексеев А.Н., Александров С.Б., Беляевский Д.Е. и др. // Тез. докл. 5-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". М., 2007. С. 42
  13. Алексеев А.Н., Александров С.Б., Бырназ А.Э. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. С. 19--27
  14. Nikishin S.A., Faleev N.N., Antipov V.G. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 2073--2075
  15. Алексеев А.Н., Бырназ А.Э., Красовицкий Д.М. и др. // ФТП. 2007. Т. 41. С. 1025--1030
  16. Webb J.B., Tang H., Bardwell J.A. et al. // J. Crystal Growth. 2001. V. 230. P. 584--589

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme