Эффективная диэлектрическая проницаемость наноструктурированной пленки, содержащей сегнетоэлектрические гранулы эллиптической формы
Вендик О.Г.1, Медведева Н.Ю.1, Зубко С.П.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: NYuMedvedeva@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
Определяется зависимость эффективной диэлектрической проницаемости наноструктурированной пленки, содержащей сегнетоэлектрические гранулы эллиптической формы, от размера гранулы и толщины "мертвого" - несегнетоэлектрического - слоя. PACS: 77.84.-s, 77.22.Ch, 77.55.+f
- Chen B., Yang H., Zhao L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N 4. P. 583--585
- Вендик О.Г., Зубко С.П. // Кристаллография. 2004. Т. 49. В. 5. С. 1144--1150
- Вендик О.Г., Медведева Н.Ю., Зубко С.П. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 6. С. 8--14
- Маделунг Э. Математический аппарат физики. М.: Физматгиз, 1961. С. 276--277
- Vendik O.G., Zubko S.P. // Journal of Applied Physics. 1997. V. 82. N 9. P. 4475--4483
- Berge J., Vorobiev A., Gevorgian S. The effect of grown on the nanostructure and dielectric response of Ba0.75Sr0.25TiO3 ferroelectric films. (to be published in MRS Thin Solid Films)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук