Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия
Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Кузубов С.В.1, Арсентьев И.Н.1, Тарасов И.С.1, Стародубцев А.А.1, Сысоев А.Б.1
1ГОУ ВПО Воронежская государственная технологическая академия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: phys@vgta.vrn.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.
Изучаются защитные свойства тонких пленок селенида галлия на GaAs, сформированных методом гетеровалентного замещения (ГВЗ). Методами просвечивающей (Hitachi H-800) и растровой электронной микроскопии (JEOL JSM-638 OLV) установлено, что обработка в парах селена усиливает ориентирующее действие подложки GaAs на последующее осаждение пленок этого же соединения по сравнению с подложками, покрытыми естественным оксидом. Показано, что обработка подложки GaAs в парах селена и последующее удаление образованного слоя Ga2Se3 повышает степень атомной гладкости поверхности подложки. PACS: 81.65.-b, 68.35.-p, 68.35.Bs.
- Торхов Н.А. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1205--1213
- Hwang J.S., Chang C.C., Chen M.F., Chen C.C. // Journal of Physics D: Applied Physics. 2003. V. 1. N 1. P. 348--353
- Бессолов В.Н., Лебедев М.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 11. С. 1281--1299
- Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Стрыгин В.Д. // ФТП. 1993. Т. 27. N 1. С. 131--135
- Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. N 1. С. 24--32
- Палатник Л.С., Кошкин В.М., Белова Е.К., Рогачёва Е.И. // Соединения переменного состава. Химия. 1969. С. 434--455
- Кошкин В.М. // Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, 1970. С. 26--35
- Безрядин Н.Н., Самойлов А.М., Прокопова Т.В., Сизов С.В. // Вестник ВГТУ: Материаловедение. 2002. Т. 1. В. 11. С. 47--51
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук