Вышедшие номера
Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs
Сошников И.П.1, Цырлин Г.Э.1, Сибирёв Н.В.1, Дубровский В.Г.1, Самсоненко Ю.Б.1, Litvinov D.1, Gerthsen D.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Email: NickSibirev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Проведены экспериментальные исследования кристаллографической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au. Методами дифракции быстрых электронов на отражение и просвечивающей электронной микроскопии показано, что нитевидные нанокристаллы GaAs могут образовывать кристаллическую структуру сфалерита, вюрцита или промежуточной фазы, близкой к политипу 4H, в зависимости от условий осаждения и размера капель катализатора. Полученные результаты интерпретируются в рамках термодинамической модели. PACS: 68.70.+w, 61.50.Ah, 61.50.Nw