Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs
Сошников И.П.1, Цырлин Г.Э.1, Сибирёв Н.В.1, Дубровский В.Г.1, Самсоненко Ю.Б.1, Litvinov D.1, Gerthsen D.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Email: NickSibirev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Проведены экспериментальные исследования кристаллографической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au. Методами дифракции быстрых электронов на отражение и просвечивающей электронной микроскопии показано, что нитевидные нанокристаллы GaAs могут образовывать кристаллическую структуру сфалерита, вюрцита или промежуточной фазы, близкой к политипу 4H, в зависимости от условий осаждения и размера капель катализатора. Полученные результаты интерпретируются в рамках термодинамической модели. PACS: 68.70.+w, 61.50.Ah, 61.50.Nw
- Akiyama T., Sano K., Nakamura K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. V. 45. P. L275
- Akiyama T., Nakamura K. et al. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 235 308
- Yeh C.-Y., Lu Z.W., Froyen S. et al. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 10 086
- McMahon M.I., Nelmes R.J. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 215 505
- Persson A.I., Larsson M.W., Stenstrom S. et al. // Nature Mater. 2004. V. 3. P. 678
- Harmand J.C., Patriarche G., Pere-Laperne N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 203 101
- Mohan P., Motohisha J., Fukuki T. // Nanotechnology. 2005. V. 16. P. 2903
- Mariager S.O., Sorensen C.B., Aagesen M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 083 106
- Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Тонких A.A. и др. // ФТТ. 2007. Т. 49. С. 1373
- Glas F., Harmand J.C., Patriarche J. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 146 101
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 41
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205 325
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Cirlin G.E. et al. // Phys. Stat. Sol. (b) 2004. V. 241. R 30
- Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 10. С. 1256
- Сошников И.П., Горбенко О.М., Голубок А.О., Леденцов Н.Н. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 361
- Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Тонких А.А. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2121
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 035 414
- Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology New Series Group III: Condensed Matter. / Ed. H.P. Bonzel. Landolt-Bornstein. Springer, 2006. V. 42. Subvol. A2. P. 325
- Cahn J.W., Hanneman R.E. // Surf. Sci. 1964. V. 1. P. 387
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук