Благодаря широкой запрещенной зоне карбида кремния p-n-структуры на его основе имеют малые плотности генерационного тока. Это позволяет в случае p-n-детекторов ядерного излучения повышать рабочую температуру и тем самым управлять временами выброса неравновесных носителей заряда с центров, связанных с дефектами. Рассмотрен сильнооблученный p-n-детектор (содержание первично смещенных атомов ~ 2· 10¹⁷ cm^-3). Для системы возникших уровней оценены температуры, при которых выброс захваченных носителей происходит за время формирования импульса электроникой. Оценена величина генерационного тока при этих температурах. Экспериментально установлено, что с ростом температуры снижается негативная роль захвата, а при 250^oC удается избежать локализации электронов на уровнях мельче 0.76 eV от зоны проводимости. PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.