Вышедшие номера
Влияние периодического прерывания роста квантовых точек InAs/GaAs на их морфологию и оптоэлектронные спектры в методе газофазной эпитаксии при атмосферном давлении
Здоровейщев А.В.1, Демина П.Б.1, Звонков Б.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zdorovei@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Модифицирован режим роста квантовых точек газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении. В отличие от стандартного режима роста время периодического прерывания подачи триметилиндия и арсина в реактор было увеличено и варьировалось в диапазоне от 4 до 18 s. Показано, что оптимизация времени прерывания роста позволяет получить плотные, однородные по размерам массивы квантовых точек и снизить концентрацию крупных релаксированных кластеров без применения дополнительных обработок (легирования сурфактантами или химического травления). Поверхностную концентрацию квантовых точек удалось повысить почти на порядок до 6· 1010 cm-2. Структуры, выращенные по модифицированной методике, имеют высокую термостабильность и высокую интенсивность электролюминесценции диодов Шоттки с торца структуры при комнатной температуре. PACS: 68.37.Ps, 78.67.Hc, 81.07.Ta, 81.15.Gh