Регистрация двухэкспозиционных интерферограмм на фототермопластическом носителе в фототермопластическом и фотоиндуцированном режимах записи
Настас А.М.1, Андриеш А.М.1, Бивол В.В.1, Слепнев И.Н.1, Присакар А.М.1
1Центр оптоэлектроники Института прикладной физики АН Республики Молдова, Кишинев
Email: nastas_a@usm.md.
Поступила в редакцию: 27 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
В фототермопластическом носителе на базе халькогенидных стеклообразных полупроводников при записи двухэкспозиционных голографических интерферограмм предложено первую экспозицию проводить методом фотоиндуцированных изменений в полупроводниковом слое, а вторую - в фототермопластическом режиме на поверхности термопластического слоя. Показано, что при второй экспозиции происходит дополнительное проявление на термопластический слой изображения, хранящегося в халькогенидном стеклообразном полупроводнике. Проявление скрытого эталонного изображения на термопластический слой позволяет производить его интерферометрическое сравнение со следующими голографическими изображениями, с каждым отдельно, реверсивно регистрируемыми в фототермопластическом режиме на поверхности термопластического слоя. PACS: 81.05.Ge
- Аникин В.И., Коршак О.Я., Панасюк Л.М., Ротарь В.К., Сухачев Ю.М. // Свойства светочувствительных материалов и их применение в голографии. Сб. науч. тр. Л.: Наука, 1987. С. 100--105
- Барладин А.В., Коломиец Б.Т., Комаров С.В., Коява О.В., Панасюк Л.М. // Материалы конференции "Некристаллические полупроводники-89". Физические явления в некристаллических полупроводниках. Ужгород, 1989. Т. 2. С. 249--251
- Панфилов С.Г. Фототермопластический носитель с растром, образованным фотоструктурными превращениями в фоточувствительном слое. Автореф. канд. дис. КГУ, 1987. 16 c
- Настас Андриан, Андриеш Андрей, Бивол Валерий, Слепнев Иван. Патент Республики Молдова 3302(13) B1, MD-BOPI. 2007. N 4. С. 48
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук