Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Улучшение излучательных характеристик в структурах со сверхрешетками InAs/GaAsN/InGaAsN
Мамутин В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mamutin@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Исследовалось влияние параметров азотсодержащих гетероструктур InAs/ GaAsN/InGaAsN с напряженно-компенсированными сверхрешетками на их излучательные характеристики. Показано влияние общих напряжений в структурах на полуширину, внутреннюю квантовую эффективность, интенсивность и длину волны излучения. Наибольшая интенсивность и наименьшие полуширины фотолюминесценции наблюдались в области малых напряжений (0-0.2%), в то время как наибольшие длины волн (~ 1.6 mum) - при больших напряжениях (~ +1%). Добавление монослойных вставок InAs в активную квантовую яму InGaAsN вместе с использованием напряженно-компенсированных сверхрешеток GaAsN/InGaAsN позволяет изменять длину волны излучения в диапазоне 1.45-1.76 mum при комнатной температуре без существенного ухудшения излучательных характеристик. PACS: 73.21.Cd, 73.21.Fg, 73.21.La, 73.40.Kp, 78.55.-m, 78.67.Pt.
- Chow W.W., Harris J.S. // J. Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1673
- Kondow M., Uomi R., Niwa A. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 1273
- Hugues H., Damilano B., Duboz J.-Y., Massies J. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 091111
- Liu H.Y., Hopkinson H., Navaretti P., Gutierrez M., Ng J.S., David J.P.R. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4951
- Soshnikov I.P., Egorov A.Yu, Mamutin V.V. et al. // Semiconductors. 2004. V. 38. P. 340
- Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Устинов В.В. Патент РФ N 2257640 (Заявка N 2004113171, приоритет от 28.04. 2004)
- Odnoblyudov V.A., Egorov A.Yu., Mamutin V.V. et al. // Tech. Phys. 2003. V. 29. P. 433
- Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Mamutin V.V. et al. // Bull. Rass. Acad. Sci. Phys. 2004. V. 68. P. 11
- Mamutin V.V., Egorov A.Yu., Kryzhanovskaya N.V., Mikhrin V.S., Nadtochy A.M., Pirogov E.V. // Semiconductors. 2008. V. 42. P. 805. (ФТП. 2008. Т. 42. С. 823)
- Mamutin V.V., Bondarenko O.V., Egorov A.Yu. et al. // Tech. Phys. Lett. 2006. V. 32. P. 229
- Anderson T.G., Chen Z.G., Kulakovskii V.D., Uddin A., Vallin J.T. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 752
- Moy А.М., Chen A.C., Cheng K.Y., Chou L.J., Hsieh K.C. // J. Cr. Growth. 1997. V. 175/176. P. 812
- Kudrawiec R. // Journ. Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 023522
- Mamutin V.V., Bondarenko O.V., Egorov A.Yu., Kryzhanovskaya N.V., Vasil'ev A.P., Gladyshev A.G., Mikhrin V.S., Ustinov V.M. // Techn. Phys. Lett. 2007. V. 33. P. 384
- Kryzhanovskaya N.V., Egorov A.Yu, Mamutin V.V., Polyakov N.K., Tsatsul'nikov A.F., Kovsh R.V., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Bimberg D. // Semiconductors. 2005. V. 39. P. 703
- Mamutin V.V., Egorov A.Yu., Kryzhanovskaya N.V., Nadtochy A.M., Payusov A.S. // Techn. Phys. Lett. 2008. V. 34. P. 146
- Mamutin V.V., Egorov A.Yu, Kryshanovskaya N.V., Nadtochy A.M., Mikhrin V.S., Pirogov E.V. // Semiconductors. 2008. V. 42. P. 805. (ФТП. 2008. Т. 42. С. 823)
- Chichibu S.F., Uedono A., Onuma T. et al. // Nature Materials. 2006. V. 5. P. 810
- Narukava Y., Kawakami Y., Fujita S., Nakamura S. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 10283
- Stoica T., Meijers R.J., Calarco R. et al. // Nano Letters. 2006. V. 6. P. 1541
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
