Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2009, выпуск 10 » Статья стр. 41
<<<>>>
Апробация туннельных МДП-структур на p-кремнии в качестве детекторов ядерных частиц
Иванов А.М.1,2,3, Строкан Н.Б.1,2,3, Котина И.М.1,2,3, Тухконен Л.М.1,2,3, Лучинин В.В.1,2,3, Корляков А.В.1,2,3, Ефременко А.М.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
PDF версия
Исследовались структуры класса металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с туннельным диэлектриком из нитрида алюминия, выполненные на высокоомном кремнии p-типа проводимости. Определялись эффективность собирания заряда и разрешение по энергии при тестировании alpha-частицами с энергией 5.4 MeV. Кроме того, исследовались природа шумов и состояние границы раздела диэлектрик-p-Si. Показано, что параметры исследованных структур в качестве детекторов близки к широко используемым в настоящее время детекторам с барьером Шоттки на n-Si (Au-n-Si). Снижение содержания глубоких центров на границе раздела позволит МДП-структурам на p-Si успешно конкурировать с детекторами на n-Si вследствие большей чистоты исходного материала. PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x
  1. Гильман Б.И., Третьяков А.П. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 1320
  2. Depas M., Van Meirhaegghe R.L., Laflere W.H., Cardon F. // Semicond. Sci. Technol. 1992. Т. 7. С. 1476
  3. Paul Benny E.T., Majhi J. // Semicond. Sci. Technol. 1992. Т. 7. С. 154
  4. Котина И.М., Тухконен Л.M., Спицын Б.В., Блаут-Блачев А.Н., Ефременко А.М., Корляков А.В., Лучинин В.В., Иванов А.М., Строкан Н.Б. // 6-я Международная конференция "Аморфные и микрокристалличеcкие полупроводники". Санкт-Петербург, 7--9 июля, 2008. С. 262--263
  5. Chattopadhyay P., Das K. // J. of Appl. Phys. 1996. Т. 80. С. 4229
  6. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Маляренко А.М., Строкан Н.Б., Суханов В.Л., Шмидт Б., Борани И. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 11--12. С. 2068
  7. Иванов А.М., Калинина Е.В., Константинов А.О., Онушкин Г.А., Строкан Н.Б., Холуянов Г.Ф., Hallen A. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 14. С. 1
  8. Иванов А.М., Строкан Н.Б. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 2. С. 139
  9. Бойко М.Е., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Голубков С.А. // ПТЭ. 2000. Т. 3. С. 111

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme