Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Токовая неустойчивость с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой в неоднородных кристаллах In2Se3
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: drapak@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Показано, что слоистые кристаллы дефектного In2Se3, выращенные методом Бриджмена из стехиометрического расплава, характеризуются типичной для сверхрешеток и структур с многочисленными потенциальными ямами токовой неустойчивостью с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой. Обнаружено, что причиной реализации такой зависимости тока от напряжения является наличие наноразмерных включений In6Se7 в более широкозонной матрице In2Se3 alpha-модификации. PACS: 71.20.Nr
- Julien C., Eddrief M., Kambas K., Balkanski M. // Mater. Sci. Eng. B. 1996. V. 38. N 1. P. 1--8
- Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 17. С. 19--27
- Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 1. С. 53--55
- Nishida T., Terao M., Miyauchi Y., Horigome S., Kaku T., Ohta N. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. N 11. P. 667--669
- Ye.J., Yoshida T., Nakamura Y., Nittono O. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N 21. P. 3057--3211
- Kwon S.H., Ahn B.T., Kim S.T., Adurodija F., Kang K.H., Yoon K.H., Song J. // J. Korean Phys. Soc. 1997. V. 31. N 5. P. 796--801
- Ohtake Y., Cheisitsak S., Yamada A., Konagai M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. Part 1. N 6. P. 3220--3225
- Koshkin V.M., Gal'chinetskii L.P., Kulik V.M., Minkov B.I., Ulmanis U.A. // Solid State Commun. 1973. V. 13. N 1. P. 1--4
- Bidjin D., Popovic S., Celustka B. // Phys. Status Solidi A. 1971. V. 6. P. 295--299
- Micocci G., Tepore A., Rella R., Siciliano P. // Phys. Status Solidi A. 1991. V. 126. N 2. P. 437--442
- Заслонкин А.В., Ковалюк З.Д., Минтянский И.В. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. В. 12. С. 1415--1536
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relatioships in Science and Technology New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics. V. 17, sv. F / Ed. by Madelung O. Berlin: Springer, 1983. 562 p
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с
- Pupysheva O.V., Dmitriev A.V., Ferajian A.A., Mizuseki H., Kowazoe Y. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. N 3. P. 033718-1--033718-9
- Pupysheva O.V., Dmitriev A.V. // Physica E. 2003. V. 18. N 1--3. P. 290--291
- Вест Р.А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х т. М.: Мир, 1988. Т. 1. 556 с
- El-Deeb A.F., Metwally H.S., Shehata H.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. V. 41. N 12. P. 125305-1--125305-7
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
