Умножитель-концентратор электронов для автоэмиссионной интегральной электроники
Ильичев Э.А.1, Кулешов А.Е.1, Полторацкий Э.А.1, Рычков Г.С.1
1ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
Email: polt@niifp.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Описываются конструкция и технология изготовления умножителя - концентратора электронов (УКЭ), играющего роль автоэмиссионного катода и обеспечивающего существенное повышение плотности тока по сравнению с существующими эмиттерами. УКЭ за счет специальной конструкции и использования алмазной пленки концентрирует и увеличивает количество электронов так, что экспериментально удалось повысить плотность первичного потока электронов в 25-30 раз. Обсуждается возможность создания интегральных схем на основе предложенного устройства.
- Spindt C.A. // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. N 7. P. 3504--3505
- Викулов Н., Кичаева Н. // ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ. 2008. N 5. С. 70--74
- David S.Y.Hsu // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 2988--2990
- Li D., Zhang J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19 (5). P. 1820--1823
- Sohn J.I., Lee S. // Appl. Phys. A. 2002. V. 74. P. 287--290
- Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20 (50). P. 2080--2084
- Jonge N., Bonard J.-M. // Phil. Trans R. Soc. Lond. 2004. V. 362. P. 2239--2266
- Krauss A.R., Auciello J., Ding M.Q. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 2958
- Diamant G., Halahmi E., Kronik L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 262 903
- Li Y., Lo H.-Y. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. V. 41. P. 085 301
- Гаврилов С.А., Дзбановский Н.Н., Ильичев Э.А. и др. // ЖТФ. 2004. Т. 74. С. 108--114
- Dvоrkin V.V., Dzbanovsky N.N., Gavrilov S.A. et al. // Diamond Relat. Mater. 2003. V. 12. P. 2208--2218
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
