Вышедшие номера
Эффект усиления эмиссии при генерации низкоэнергетического субмиллисекундного электронного пучка в диоде с сеточным плазменным катодом и открытой границей анодной плазмы
Григорьев С.В.1, Девятков В.Н.1, Коваль Н.Н.1, Тересов А.Д.1
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Email: grigoriev@opee.hcei.tsc.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Представлены результаты исследования эффекта усиления эмиссии электронов в плазмонаполненном диоде на основе плазменного катода с сеточной стабилизацией границы плазмы при ускоряющем напряжении до 20 kV. Суть явления состоит в том, что при увеличении рабочего давления <= 10-2 Pa и продольного магнитного поля <= 20 mT происходит существенное (в некоторых случаях в 2 и более раз) увеличение тока в ускоряющем промежутке. Экспериментально показано, что наиболее вероятным механизмом, ответственным за данное явление, является вторичная ионно-электронная эмиссия, возникающая с поверхности эмиссионного электрода, в результате ее бомбардировки ионами, поступающими из плазмы, генерируемой электронным пучком в пространстве дрейфа, и ускоренными в слое пространственного заряда между поверхностью эмиссионного электрода и открытой границей пучковой (анодной) плазмы.