Вышедшие номера
Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
Вилисова М.Д.1,2, Гермогенов В.П.1,2, Казтаев О.Ж.1,2, Новиков В.А.1,2, Пономарев И.В.1,2, Титков А.Н.1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: spti@sibmail.com
Поступила в редакцию: 13 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Представлены результаты исследования с помощью метода Кельвин-зонд-микроскопии распределения электрического поля в детекторных p+-pi-n-n+-структурах на основе GaAs. Установлено наличие двух максимумов в распределении напряженности электрического поля в объеме активного слоя структур в области p+-pi- и pi-n-переходов. Падение напряжения на pi-n-переходе расширяет область собирания неравновесных дырок в детекторах, что увеличивает эффективность сбора заряда при поглощении гамма-квантов с энергией 59.5 keV.