Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
Вилисова М.Д.1,2, Гермогенов В.П.1,2, Казтаев О.Ж.1,2, Новиков В.А.1,2, Пономарев И.В.1,2, Титков А.Н.1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: spti@sibmail.com
Поступила в редакцию: 13 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
Представлены результаты исследования с помощью метода Кельвин-зонд-микроскопии распределения электрического поля в детекторных p+-pi-n-n+-структурах на основе GaAs. Установлено наличие двух максимумов в распределении напряженности электрического поля в объеме активного слоя структур в области p+-pi- и pi-n-переходов. Падение напряжения на pi-n-переходе расширяет область собирания неравновесных дырок в детекторах, что увеличивает эффективность сбора заряда при поглощении гамма-квантов с энергией 59.5 keV.
- Jiang C.-S., Moutihno H.R., Friedman D.J., Geisz J.F., Al-Jassim M.M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 93. P. 10035--10040
- Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 9. С. 1138--1143
- Doukkali A., Ledain S., Guasch C., Bonnet J. // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 235. P. 507--512
- Katzer KI.-D., Mertin W., Bacher G. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 103522--103522-3
- Айзенштат Г.И., Вилисова М.Д., Другова Е.П., Лелеков М.А., Пономарев И.В., Пороховниченко Л.П., Толбанов О.П., Чубирко В.А. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 8. С. 46--49
- Вилисова М.Д., Гермогенов В.П., Другова Е.П., Пономарев И.В., Пороховниченко Л.П., Толбанов О.П., Чубиков В.А. // Материалы девятой конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III--V". Томск, 2006. С. 485
- Robin F., Jacobs H., Homan O., Stemmer A., Bachtold W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 2907--2909
- Kikukawa A., Hosaka S., Imura R. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3510--3512
- Вилисова М.Д., Другова Е.П., Пономарев И.В., Чубирко В.А. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 2. С. 239--242
- Ramo S. // J. Appl. Phys. 1938. V. 9. P. 635
- Trammel R., Walter J.F. // Nucl. Instr. and Meth. 1969. V. 76. P. 317
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
