Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 9 » Статья стр. 95
<<<>>>
Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
Вилисова М.Д.1,2, Гермогенов В.П.1,2, Казтаев О.Ж.1,2, Новиков В.А.1,2, Пономарев И.В.1,2, Титков А.Н.1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: spti@sibmail.com
Поступила в редакцию: 13 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования с помощью метода Кельвин-зонд-микроскопии распределения электрического поля в детекторных p+-pi-n-n+-структурах на основе GaAs. Установлено наличие двух максимумов в распределении напряженности электрического поля в объеме активного слоя структур в области p+-pi- и pi-n-переходов. Падение напряжения на pi-n-переходе расширяет область собирания неравновесных дырок в детекторах, что увеличивает эффективность сбора заряда при поглощении гамма-квантов с энергией 59.5 keV.
  1. Jiang C.-S., Moutihno H.R., Friedman D.J., Geisz J.F., Al-Jassim M.M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 93. P. 10035--10040
  2. Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 9. С. 1138--1143
  3. Doukkali A., Ledain S., Guasch C., Bonnet J. // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 235. P. 507--512
  4. Katzer KI.-D., Mertin W., Bacher G. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 103522--103522-3
  5. Айзенштат Г.И., Вилисова М.Д., Другова Е.П., Лелеков М.А., Пономарев И.В., Пороховниченко Л.П., Толбанов О.П., Чубирко В.А. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 8. С. 46--49
  6. Вилисова М.Д., Гермогенов В.П., Другова Е.П., Пономарев И.В., Пороховниченко Л.П., Толбанов О.П., Чубиков В.А. // Материалы девятой конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III--V". Томск, 2006. С. 485
  7. Robin F., Jacobs H., Homan O., Stemmer A., Bachtold W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 2907--2909
  8. Kikukawa A., Hosaka S., Imura R. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3510--3512
  9. Вилисова М.Д., Другова Е.П., Пономарев И.В., Чубирко В.А. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 2. С. 239--242
  10. Ramo S. // J. Appl. Phys. 1938. V. 9. P. 635
  11. Trammel R., Walter J.F. // Nucl. Instr. and Meth. 1969. V. 76. P. 317

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme