Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 7 » Статья стр. 72
<<<>>>
Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев
Сорокин Л.М.1,2, Калмыков А.Е.1,2, Бессолов В.Н.1,2, Феоктистов Н.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2, Веселов Н.В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aekalm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
PDF версия
Представлены результаты электронно-микроскопического исследования поперечных сечений системы GaN/AlN/3C-SiC/Si(111). Буферный слой карбида кремния нанометровой толщины был получен оригинальным методом твердофазной эпитаксии. Последующие слои - нитрида галлия и алюминия - выращивались хлоридной газовой эпитаксией. В слоях нитрида галлия не выявлено прорастающих дислокаций, в них также отсутствуют трещины любого масштаба. Основная часть дефектов в GaN в виде скоплений дислокаций локализована вблизи границы раздела GaN-AlN, которые параллельны этой границе. Плотность дислокаций в слоях GaN составила (1-2)· 109 cm-2, что, согласно литературным данным, находится на уровне минимальных значений. В буферном слое AlN выявлены нанопоры, которые снижают уровень напряжений на границе раздела, что почти полностью подавляет появление прорастающих дислокаций.
  1. Pearton S.J., Kang B.S., Suku Kim et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. P. R961--R994
  2. Ioffe data archive http://www.ioffe.ru/SVA/NSM
  3. Кютт Р.Н. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 15. С. 14--21
  4. Аксянов И.Г., Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коман М.Е., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Родин С.Н., Феоктистов Н.А., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 11. С. 54--61
  5. Oliver R.A., Kappers M.J., McAleese C. et al. // J. Mater Sci: Mater Electron. 2008. P. 208--214
  6. Cherns D., Young W.T., Saunders M.A., Ponce F.A., Nakamura S. // Microscopy of Semiconducting Materials. 1997. P. 187
  7. Rosner S.J., Carr S.E., Ludowise M.J., Girolami G., Erikson H.I. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. P. 420
  8. Siguira L. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 81. P. 1633.
  9. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. // Патент на изобретение N 2363067, приоритет от 22.01.2008
  10. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. Т. 50. С. 1188--1195
  11. Komiyama J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 091901
  12. Liliental-Weber Z., Zakharov D., Wagner B., Davis R.F. // Proc. of SPIE. V. 6121. P. 612101-10
  13. Qian W., Skowronski M., De Graef M. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66 (10). P. 1252--1254
  14. Rouviere J.-L., Arlery M., Bourret A. // Microscopy of Semiconducting Materials. 1997. P. 173--182.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme