Детектор ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO2-ZnSe
Махний В.П.1, Мельник В.В.1, Орлецкий И.Г.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: volvmel@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Изготовлены гетероструктуры SnO2-ZnSe с высокой токовой чувствительностью, достигающей в максимуме 60 A/W, и измерены их электрические и фотоэлектрические характеристики.
- Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 9. С. 1025--1055
- Махний В.П., Мельник В.В. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 8. С. 1468--1472
- Махний В.П. // ЖТФ. 1998. Т. 68. В. 9. С. 123--125
- Павлов А.В., Чернышов А.И. // Приемники излучения автоматических оптико-электронных приборов. М.: Энергия, 1972. 240 с
- Анисимов И.Д., Викулин И.М., Заитов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра / Под ред. В.И. Стафеева. М.: Радио и связь, 1984. 216 с
- Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы / Пер. с англ. под ред. М.М. Колтуна. М.: Мир, 1986. 4345 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.