Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния
Грехов И.В.1, Костина Л.С.1, Козловский В.В.1, Ломасов В.Н.1, Рожков А.В.1
1Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: rozh@hv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Показана возможность создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в высоковольтных кремниевых p+Nn+-диодах путем обычного электронного облучения в определенном диапазоне энергий. Приводятся результаты исследования основных статических и динамических характеристик.
- Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. // Физические величины: Сплавочник. М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 1170
- Hazdra P., Vobesky J., Brand K. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B. 2002. V. 186. P. 414-418
- Hazdra P. et al. // Solid State Phenomena. 2004. V. 95-96. P. 387-392
- Siemienieс R., Lutz J. // Microelectronics J. 2004. V. 35. P. 259-267
- Колпаков А. // Электронные компоненты. 2005. N 2. C. 109-113
- Козловский В.В. // Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003
- Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 12. С. 2186-2190
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
