Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO2
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина 
Email: Bagmut@kpi.Kharkov.ua
Поступила в редакцию: 22 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.
Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO2. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO2. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO2.
- Соколов А.А., Овчинников А.А., Лысенков К.М. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. В. 7. С.131--136
- Aarik J., Mandar H., Kirm M., Pung L. // Thin solid films. 2004. V. 466. P. 41--47
- Ho M.-Y., Gong H., Wilk G.D. et al. // Applied Physics. 2003. V. 93. N 3. P. 1477--1481
- Aarik J., Aidla A., Mandar H. et al. // Applied Surface Science. 2001. V. 173. P. 15--21
- Пугачевский М.А., Заводинский В.Г., Кузьменко А.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 2. С. 98--102
- Багмут А.Г., Шипкова И.Г., Жучков В.А. Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 8. С. 52--59
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
